SWWF7N90D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWWF7N90D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWWF7N90D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWWF7N90D даташит

 ..1. Size:750K  samwin
 swwf7n90d swmn7n90d.pdf pdf_icon

SWWF7N90D

SW7N90D N-channel Enhanced mode TO-220WF/TO-220SF MOSFET Features BVDSS 900V TO-220WF TO-220SF ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.7 )@VGS=10V RDS(ON) 1.7 Low Gate Charge (Typ 42nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descript

Другие IGBT... SWU11N65D, SWU16N70K, SWU6N65K, SWU8N60D, SWU8N65K, SWU8N80K, SWUI7N65D, SWW20N65K, AO3400, SWX090R15ET, SWX170R15ET, SWX38N65K2F, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D