SWX090R15ET Todos los transistores

 

SWX090R15ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWX090R15ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWX090R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  samwin
 swx090r15et.pdf pdf_icon

SWX090R15ET

SW090R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features TO-220FB High ruggedness BVDSS : 150V Low RDS(ON) (Typ 9m)@VGS=10V ID : 100A Low Gate Charge (Typ 79nC) Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 9m 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, 2 1 2 Li Battery Protect Board, Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3.

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