SWX090R15ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWX090R15ET  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWX090R15ET

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX090R15ET даташит

 ..1. Size:645K  samwin
 swx090r15et.pdf pdf_icon

SWX090R15ET

SW090R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features TO-220FB High ruggedness BVDSS 150V Low RDS(ON) (Typ 9m )@VGS=10V ID 100A Low Gate Charge (Typ 79nC) Improved dv/dt Capability RDS(ON) 9m 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification, 2 1 2 Li Battery Protect Board, Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3.

Другие IGBT... SWU16N70K, SWU6N65K, SWU8N60D, SWU8N65K, SWU8N80K, SWUI7N65D, SWW20N65K, SWWF7N90D, IRFB4227, SWX170R15ET, SWX38N65K2F, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, SWYN4N65DD