Справочник MOSFET. SWX090R15ET

 

SWX090R15ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWX090R15ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX090R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  samwin
 swx090r15et.pdf pdf_icon

SWX090R15ET

SW090R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features TO-220FB High ruggedness BVDSS : 150V Low RDS(ON) (Typ 9m)@VGS=10V ID : 100A Low Gate Charge (Typ 79nC) Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 9m 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, 2 1 2 Li Battery Protect Board, Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CEF10N6 | BUK7Y3R5-40E | CED07N65A | HUF75333S3 | HUF75332S3ST | CEC2088E | UT30P03

 

 
Back to Top

 


 
.