SWX090R15ET - аналоги и даташиты транзистора

 

SWX090R15ET - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWX090R15ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 403 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWX090R15ET

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX090R15ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  samwin
 swx090r15et.pdf pdf_icon

SWX090R15ET

SW090R15ET N-channel Enhanced mode TO-220FB MOSFET Features TO-220FB High ruggedness BVDSS : 150V Low RDS(ON) (Typ 9m)@VGS=10V ID : 100A Low Gate Charge (Typ 79nC) Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 9m 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, 2 1 2 Li Battery Protect Board, Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3.

Другие MOSFET... SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , IRFB4227 , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD .

 

 
Back to Top

 


 
.