S10H06RP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S10H06RP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: TO220
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S10H06RP datasheet
s10h06r s10h06s s10h06rn s10h06rp.pdf
S10H06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=60A DC Motor Control Rds(on)(typ)=15m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
s10h07m.pdf
S10H07M SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications V =100V,I =70A DS D DC Motor Control Rds(on)(typ)=9.2m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G S S Package
s10h08r s10h08s s10h08rn s10h08rp.pdf
S10H08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=9m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D S
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Liste
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