FDS8449F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDS8449F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Encapsulados: SO-8
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FDS8449F085 datasheet
fds8449-f085.pdf
FDS8449-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 7.6A, 29m Features Typ RDS(on) = 21m at VGS = 10V, ID = 7.6A Typ RDS(on) = 26m at VGS = 4.5V, ID = 6.8A Typ Qg(5) = 7.7nC at VGS = 5V, ID = 7.6A RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Inverter Power Supplies MOSFET Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rat
fds8449.pdf
FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10V These N-Channel MOSFETs are produced using ON RDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize High power handling capability in a widely used on-state resistance and yet maintain superior
Otros transistores... FDS6986AS , SP8076E , FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 , FDS8447 , FDS8449 , IRLB4132 , FDS86106 , SP8010E , FDS86140 , SP8009EL , FDS86141 , SP8005 , FDS86240 , FDS86242 .
History: FKV550N | FDS5672
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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