Справочник MOSFET. FDS8449F085

 

FDS8449F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS8449F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS8449F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS8449F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:115K  fairchild semi
 fds8449.pdf pdf_icon

FDS8449F085

December 2005 FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features These N-Channel MOSFETs are produced using 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrenchprocess that has been especially tailored to minimize RDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

 7.2. Size:249K  fairchild semi
 fds8449 f085.pdf pdf_icon

FDS8449F085

July 2009FDS8449_F085 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features These N-Channel MOSFETs are produced using 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrenchprocess that has been especially tailored to minimize RDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

 7.3. Size:513K  onsemi
 fds8449-f085.pdf pdf_icon

FDS8449F085

FDS8449-F085N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 7.6A, 29m Features Typ RDS(on) = 21m at VGS = 10V, ID = 7.6A Typ RDS(on) = 26m at VGS = 4.5V, ID = 6.8A Typ Qg(5) = 7.7nC at VGS = 5V, ID = 7.6A RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Inverter Power SuppliesMOSFET Maximum Ratings TA = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter Rat

 7.4. Size:195K  onsemi
 fds8449.pdf pdf_icon

FDS8449F085

FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10VThese N-Channel MOSFETs are produced using ONRDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize High power handling capability in a widely usedon-state resistance and yet maintain superior

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.