S15H11RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S15H11RN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 106 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET S15H11RN

S15H11RN Datasheet (PDF)

..1. Size:327K cn si-tech
s15h11r s15h11s s15h11rn s15h11rp.pdf

S15H11R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=150V,ID=106A DC Motor Control Rds(on)(typ)=10.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D

9.1. Size:2294K cn si-tech
s15h12r s15h12s s15h12rn s15h12rp.pdf

S15H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=145V,ID=122A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

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Liste

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