S15H11RN - аналоги и даташиты транзистора

 

S15H11RN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: S15H11RN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S15H11RN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  cn si-tech
 s15h11r s15h11s s15h11rn s15h11rp.pdf pdf_icon

S15H11RN

S15H11R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=150V,ID=106A DC Motor Control Rds(on)(typ)=10.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D

 9.1. Size:2294K  cn si-tech
 s15h12r s15h12s s15h12rn s15h12rp.pdf pdf_icon

S15H11RN

S15H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=145V,ID=122A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Другие MOSFET... S10H16RN , S10H16RP , S10H16S , S10H18R , S10H18RN , S10H18RP , S10H18S , S15H11R , AO4407 , S15H11RP , S15H11S , S15H12R , S15H12RN , S15H12RP , S15H12S , S30N08M , S40N08M .

History: AP20P02GH

 

 
Back to Top

 


 
.