S15H12RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S15H12RN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 145 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 122 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.1 V
Carga de la puerta (Qg): 98 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 749 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S15H12RN
S15H12RN Datasheet (PDF)
s15h12r s15h12s s15h12rn s15h12rp.pdf
S15H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=145V,ID=122A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
s15h11r s15h11s s15h11rn s15h11rp.pdf
S15H11R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=150V,ID=106A DC Motor Control Rds(on)(typ)=10.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D
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