S15H12RN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: S15H12RN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 145 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 122 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 749 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для S15H12RN
S15H12RN Datasheet (PDF)
s15h12r s15h12s s15h12rn s15h12rp.pdf
S15H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=145V,ID=122A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
s15h11r s15h11s s15h11rn s15h11rp.pdf
S15H11R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=150V,ID=106A DC Motor Control Rds(on)(typ)=10.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D
Другие MOSFET... S10H18RN , S10H18RP , S10H18S , S15H11R , S15H11RN , S15H11RP , S15H11S , S15H12R , STP80NF70 , S15H12RP , S15H12S , S30N08M , S40N08M , S40N09R , S40N09RN , S40N09RP , S40N09S .
History: G30N20K | TTK101MFV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92



