HGA080N10A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HGA080N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA080N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA080N10A datasheet

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P-1 HGA080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 7.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 43.5 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

0.1. Size:906K cn hunteck
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HGA080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

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hga080n10s.pdf pdf_icon

HGA080N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

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hga082n10m.pdf pdf_icon

HGA082N10M P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS 6.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 8.2 RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability 48 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

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