HGA080N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA080N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA080N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA080N10A даташит

 ..1. Size:992K  cn hunteck
 hga080n10a.pdf pdf_icon

HGA080N10A

P-1 HGA080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 7.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 43.5 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

 0.1. Size:906K  cn hunteck
 hga080n10al.pdf pdf_icon

HGA080N10A

HGA080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 5.1. Size:988K  cn hunteck
 hga080n10s.pdf pdf_icon

HGA080N10A

HGA080N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 9.1. Size:800K  cn hunteck
 hga082n10m.pdf pdf_icon

HGA080N10A

HGA082N10M P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS 6.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 8.2 RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability 48 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGA046NE6AL, HGA053N06S, HGA053N06SL, HGA055N10SL, HGA058N08SL, HGA059N08A, HGA059N12S, HGA059N12SL, 4435, HGA080N10AL, HGA080N10S, HGA082N10M, HGA090N06SL, HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL, HGA098N10S