HGA098N10AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA098N10AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA098N10AL datasheet

 ..1. Size:990K  cn hunteck
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HGA098N10AL

HGA098N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 4.1. Size:999K  cn hunteck
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HGA098N10AL

P-1 HGA098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching VGS=10V 9.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 37 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Ci

 5.1. Size:1020K  cn hunteck
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HGA098N10AL

HGA098N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.4 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit

 9.1. Size:1164K  cn hunteck
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HGA098N10AL

HGA093N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching, Logic Level 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

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