Справочник MOSFET. HGA098N10AL

 

HGA098N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA098N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA098N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  cn hunteck
 hga098n10al.pdf pdf_icon

HGA098N10AL

HGA098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 4.1. Size:999K  cn hunteck
 hga098n10a.pdf pdf_icon

HGA098N10AL

P-1HGA098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingVGS=10V9.3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability37 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed Ci

 5.1. Size:1020K  cn hunteck
 hga098n10s.pdf pdf_icon

HGA098N10AL

HGA098N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.4RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed Circuit

 9.1. Size:1164K  cn hunteck
 hga093n12sl.pdf pdf_icon

HGA098N10AL

HGA093N12SLP-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level 120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MRF141G | IRFR010PBF | CEM8968 | KI5904DC | MTB3D0N03BH8 | SML100H9 | SML2308CSM4

 

 
Back to Top

 


 
.