HGA105N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA105N15M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA105N15M
HGA105N15M Datasheet (PDF)
hga105n15m.pdf
HGA105N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-220F 8.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability50 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2
hga100n12sl.pdf
HGA100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness49 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hga100n12s.pdf
HGA100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-220F 8.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability49 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-220FPin2
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Liste
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