HGA130N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA130N12S
Código: GA130N12S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA130N12S
HGA130N12S Datasheet (PDF)
hga130n12s.pdf
P-1HGA130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability36.9 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swit
hga130n12sl.pdf
P-1HGA130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness36 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
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