HGK018N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGK018N06S
   Código: GK018N06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 124 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGK018N06S

HGK018N06S Datasheet (PDF)

..1. Size:863K cn hunteck
hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

9.1. Size:1000K cn hunteck
hgb014n08a hgk014n08a.pdf

, P-1HGB014N08A HGK014N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness371 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio

9.2. Size:1004K cn hunteck
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdf

, P-1HGB012NE6A HGK012NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness417 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

9.3. Size:1282K cn hunteck
hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf

HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG65R650DZF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: