HGP019N06S Todos los transistores

 

HGP019N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP019N06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HGP019N06S Datasheet (PDF)

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 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGP019N06S

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

 7.1. Size:1282K  cn hunteck
 hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf pdf_icon

HGP019N06S

HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack

Otros transistores... HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , IRF830 , HGB016NE6A , HGB017N10S , HGB019NE6A , HGK019NE6A , HGP019NE6A , HGB020N10S , HGK020N10S , HGP020N10S .

History: UTC654 | SVF13N50S | IPB015N08N5 | AM30N08-80D | ME4953-G

 

 
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