HGP019N06S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGP019N06S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HGP019N06S datasheet

 ..1. Size:863K  cn hunteck
 hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGP019N06S

HGB016N06S , HGK018N06S P-1 HGP019N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.45 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.67 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 340 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited)

 7.1. Size:1282K  cn hunteck
 hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf pdf_icon

HGP019N06S

HGB019NE6A HGP019NE6A , P-1 HGK019NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.35 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited) 180 A ID (Pack

Otros transistores... HGB009NE6A, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S, 2N60, HGB016NE6A, HGB017N10S, HGB019NE6A, HGK019NE6A, HGP019NE6A, HGB020N10S, HGK020N10S, HGP020N10S