HGK025N06S Todos los transistores

 

HGK025N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK025N06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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HGK025N06S Datasheet (PDF)

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HGK025N06S

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

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HGK025N06S

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

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HGK025N06S

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

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HGK025N06S

HGB027N10A , P-1HGK027N10AHGP027N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 2.2 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 VGS=10V 2.4 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 2.5 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested248 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free

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