HGB029NE4SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB029NE4SL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1367 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB029NE4SL datasheet

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HGB029NE4SL

HGB029NE4SL HGP029NE4SL P-1 , 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 2.2 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 2.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 3.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 182 A ID (Sillicon Limited)

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HGB029NE4SL

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 1.8 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level VGS=4.5V 2.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.1 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness VGS=4.5V 3.0 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 198 A ID (Si

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HGB029NE4SL

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

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hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGB029NE4SL

, P-1 HGB020NE4S HGK020NE4S HGP020NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.75 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 288 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Appli

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