HGB042N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB042N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 167 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB042N10A datasheet

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HGB042N10A

, HGB042N10A HGP042N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature TO-263 3.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 167 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Swit

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hgb042n10s hgp042n10s.pdf pdf_icon

HGB042N10A

, HGB042N10S HGP042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 161 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-220 TO-263 Hard Switching and

 9.1. Size:1049K  cn hunteck
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf pdf_icon

HGB042N10A

, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous

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hgb040n06sl hgp040n06sl.pdf pdf_icon

HGB042N10A

HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)

Otros transistores... HGP039N12S, HGB039N15M, HGP039N15M, HGB040N06S, HGP040N06S, HGB040N06SL, HGP040N06SL, HGB041N15S, SKD502T, HGP042N10A, HGB042N10S, HGP042N10S, HGB043N15S, HGK043N15S, HGP043N15S, HGB045N15S, HGK045N15S