HGP046NE6AL Todos los transistores

 

HGP046NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP046NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGP046NE6AL Datasheet (PDF)

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HGP046NE6AL

, P-1HGB046NE6ALHGP046NE6AL65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.2RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested6.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free108 AID (Sillic

 4.1. Size:919K  cn hunteck
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HGP046NE6AL

, P-1HGB046NE6A HGP046NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness108 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

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 hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf pdf_icon

HGP046NE6AL

, P-1HGB043N15S HGK043N15SHGP043N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.3RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested206 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synchronous

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HGP046NE6AL

HGB040N06SL HGP040N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature2.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.4RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested140 AID (Sillicon Limited)

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History: PHW9N60E | UF630L-TF1-T | IRFB16N60LPBF | IRF630A | SVS70R420FE3 | 2SK3089 | SVF7N65CMJ

 

 
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