HGB058N08SL Todos los transistores

 

HGB058N08SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB058N08SL
   Código: GB058N08SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGB058N08SL Datasheet (PDF)

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HGB058N08SL

HGB058N08SL, HGP058N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level4.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.3RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested5.9RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free130 AID (Sillicon Limit

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HGB058N08SL

, P-1HGB059N08AHGP059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 5.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness97 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

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HGB058N08SL

,HGB059N12S HGP059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.4RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 4.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness160 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectif

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 hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf pdf_icon

HGB058N08SL

,HGB057N15S HGK057N15S P-1HGP057N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited)Application Synchr

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History: AO3413A | RFD7N10LE | IRFS9232 | IPW60R099CP | KMA4D5P20X

 

 
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