HGB058N08SL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGB058N08SL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGB058N08SL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGB058N08SL даташит
hgb058n08sl hgp058n08sl.pdf
HGB058N08SL, HGP058N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 5.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free 130 A ID (Sillicon Limit
hgb059n08a hgp059n08a.pdf
, P-1 HGB059N08A HGP059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 97 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
hgb059n12s hgp059n12s.pdf
, HGB059N12S HGP059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 160 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectif
hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf
, HGB057N15S HGK057N15S P-1 HGP057N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5 RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited) Application Synchr
Другие IGBT... HGP053N06S, HGB053N06SL, HGP053N06SL, HGB055N12S, HGP055N12S, HGB057N15S, HGK057N15S, HGP057N15S, STF13NM60N, HGP058N08SL, HGB059N08A, HGP059N08A, HGB059N12S, HGP059N12S, HGB059N12SL, HGP059N12SL, HGB068N15S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264










