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HGB070N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB070N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB070N15S

 

Principales características: HGB070N15S

 ..1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGB070N15S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS

 6.1. Size:968K  cn hunteck
 hgb070n12s hgp070n12s.pdf pdf_icon

HGB070N15S

, P-1 HGB070N12S HGP070N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 133 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain H

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