HGB070N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB070N15S
Маркировка: GB070N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 386 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0072 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB070N15S
HGB070N15S Datasheet (PDF)
hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf
HGB070N15S , HGK070N15S P-1HGP070N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 5.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free IDApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgb070n12s hgp070n12s.pdf
, P-1HGB070N12SHGP070N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness133 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain H
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
