HGP095NE4SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGP095NE4SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP095NE4SL
Principales características: HGP095NE4SL
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf
HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.6 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.9 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
hgp098n10s.pdf
HGP098N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit TO-
hgb098n10a hgp098n10a.pdf
HGB098N10A , P-1 HGP098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching RDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgb090n06sl hgp090n06sl.pdf
HGB090N06SL HGP090N06SL , P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 9.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 10.0 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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