HGP095NE4SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGP095NE4SL
   Código: GP095NE4SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 309 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP095NE4SL

HGP095NE4SL Datasheet (PDF)

..1. Size:816K cn hunteck
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.6RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.9RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

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hgp098n10s.pdf

HGP098N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed CircuitTO-

9.2. Size:926K cn hunteck
hgb098n10a hgp098n10a.pdf

HGB098N10A , P-1HGP098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness70.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

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hgb090n06sl hgp090n06sl.pdf

HGB090N06SL HGP090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V 9.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.3RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V 10.0RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

9.4. Size:924K cn hunteck
hgb098n10al hgp098n10al.pdf

, P-1HGB098N10ALHGP098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8.4RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free68 AID (Sil

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Liste

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