HGB110N20S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB110N20S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0109 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB110N20S datasheet

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HGB110N20S

, HGB110N20S HGK110N20S P-1 HGP110N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 9.1 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 9.4 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 132 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

 7.1. Size:830K  cn hunteck
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HGB110N20S

HGB110N10SL , HGP110N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.7 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 9.0 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halog

 9.1. Size:1213K  cn hunteck
 hgb115n15s hgp115n15s.pdf pdf_icon

HGB110N20S

HGB115N15S , HGP115N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 9.4 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.7 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 91 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

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