Справочник MOSFET. HGB110N20S

 

HGB110N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGB110N20S
   Маркировка: GB110N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 132 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 420 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0109 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB110N20S

 

 

HGB110N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  cn hunteck
hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf

HGB110N20S
HGB110N20S

,HGB110N20S HGK110N20S P-1HGP110N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 9.1RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 9.4RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested132 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

 7.1. Size:830K  cn hunteck
hgb110n10sl hgp110n10sl.pdf

HGB110N20S
HGB110N20S

HGB110N10SL , HGP110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness9.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halog

 9.1. Size:1213K  cn hunteck
hgb115n15s hgp115n15s.pdf

HGB110N20S
HGB110N20S

HGB115N15S, HGP115N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 9.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.7RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 91 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HGB220N25S

 

 
Back to Top