HGP115N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGP115N15S
   Código: GP115N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 91 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 42 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 239 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0112 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP115N15S

HGP115N15S Datasheet (PDF)

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hgb115n15s hgp115n15s.pdf

HGB115N15S, HGP115N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 9.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.7RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 91 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

9.1. Size:830K cn hunteck
hgb110n10sl hgp110n10sl.pdf

HGB110N10SL , HGP110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness9.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halog

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hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf

,HGB110N20S HGK110N20S P-1HGP110N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 9.1RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 9.4RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested132 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

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History: JFAM25N50E

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