HGP210N20S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGP210N20S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HGP210N20S datasheet

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 hgb210n20s hgk210n20s hgp210n20s.pdf pdf_icon

HGP210N20S

, P-1 HGB210N20S HGK210N20S HGP210N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching 16 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 70 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-263 TO-220 Hard Switching and Hig

Otros transistores... HGB190N15S, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, 4435, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S