HGP210N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGP210N20S
   Código: GP210N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 35 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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HGP210N20S Datasheet (PDF)

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, P-1HGB210N20S HGK210N20SHGP210N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching16RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-263 TO-220 Hard Switching and Hig

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