HGP480N15M Todos los transistores

 

HGP480N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP480N15M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de HGP480N15M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGP480N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  cn hunteck
 hgb480n15m hgp480n15m.pdf pdf_icon

HGP480N15M

HGB480N15M , HGP480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 38RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 41RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness29 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Otros transistores... HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , IRFP450 , HGB640N25S , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A , HGD028NE6AL , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A .

History: ZXMS6006SGQ | IRF6898M | SI2342DS-T1 | WMK13N65EM | RFP2N10L | 2SK1620L | HRA40N08K

 

 
Back to Top

 


 
.