HGP480N15M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP480N15M
Маркировка: GP480N15M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP480N15M
HGP480N15M Datasheet (PDF)
hgb480n15m hgp480n15m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGB480N15M , HGP480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 38RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 41RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness29 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .