HGP480N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGP480N15M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HGP480N15M Datasheet (PDF)
hgb480n15m hgp480n15m.pdf

HGB480N15M , HGP480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 38RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 41RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness29 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IXTH13N110 | LSE60R290HF | EM6K34 | HCS60R260ST | AP3407 | MTB30N06J3 | IXFP18N65X2
History: IXTH13N110 | LSE60R290HF | EM6K34 | HCS60R260ST | AP3407 | MTB30N06J3 | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor