HGB640N25S Todos los transistores

 

HGB640N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB640N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB640N25S Datasheet (PDF)

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 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf pdf_icon

HGB640N25S

,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , IRFP250 , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A , HGD028NE6AL , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
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