HGB640N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGB640N25S
   Código: GB640N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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HGB640N25S Datasheet (PDF)

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hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf

,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

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Liste

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