HGB640N25S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB640N25S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB640N25S datasheet

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 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf pdf_icon

HGB640N25S

, HGB640N25S HGP640N25S P-1 HGK640N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Switching TO-263 50 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 50 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 50 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, AON7506, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL, HGD029NE4SL, HGD032NE4S, HGD035N08A, HGD035N08AL