Справочник MOSFET. HGB640N25S

 

HGB640N25S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB640N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB640N25S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB640N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf pdf_icon

HGB640N25S

,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , IRFP250 , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A , HGD028NE6AL , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL .

History: AP10N012I | AP85U03GMT-HF | ST2317S23RG | UT4414 | PPMT32V4 | FTK640F | TPC8128

 

 
Back to Top

 


 
.