HGB640N25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB640N25S
Маркировка: GB640N25S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 104 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB640N25S
HGB640N25S Datasheet (PDF)
..1. Size:881K cn hunteck
hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf
hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf
,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
