HGD032NE4S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGD032NE4S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1348 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD032NE4S
HGD032NE4S Datasheet (PDF)
hgd032ne4s.pdf
P-1HGD032NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS Optimized for high speed switching2.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability148 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainTO-252
hgd035n08al.pdf
HGD035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness140 AID (Silicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec
hgd035n08a.pdf
HGD035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability144 AID (Silicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi
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History: IPI110N20N3 | MRF1507 | MSF16N50
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