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HGD032NE4S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD032NE4S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1348 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD032NE4S

 

Principales características: HGD032NE4S

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HGD032NE4S

P-1 HGD032NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS Optimized for high speed switching 2.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 148 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain TO-252

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HGD032NE4S

HGD035N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 140 A ID (Silicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

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HGD032NE4S

HGD035N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 3.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 144 A ID (Silicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hi

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