HGD032NE4S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD032NE4S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1348 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD032NE4S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD032NE4S даташит
hgd032ne4s.pdf
P-1 HGD032NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS Optimized for high speed switching 2.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 148 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain TO-252
hgd035n08al.pdf
HGD035N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 140 A ID (Silicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec
hgd035n08a.pdf
HGD035N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 3.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 144 A ID (Silicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hi
Другие IGBT... HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL, HGD029NE4SL, 4N60, HGD035N08A, HGD035N08AL, HGD040N06S, HGD040N06SL, HGI040N06SL, HGD045NE4SL, HGD046NE6A, HGD046NE6AL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AP4813K | HGD080N10AL | HGI077N10SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a



