HGD035N08AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGD035N08AL
   Código: GD035N08AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 706 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD035N08AL

HGD035N08AL Datasheet (PDF)

..1. Size:908K cn hunteck
hgd035n08al.pdf

HGD035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness140 AID (Silicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

4.1. Size:900K cn hunteck
hgd035n08a.pdf

HGD035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability144 AID (Silicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

9.1. Size:890K cn hunteck
hgd032ne4s.pdf

P-1HGD032NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS Optimized for high speed switching2.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability148 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainTO-252

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History: JANSR2N7398

Liste

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