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HGI053N06SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGI053N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 793 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGI053N06SL

 

Principales características: HGI053N06SL

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HGI053N06SL

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HGI053N06SL

, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

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HGI053N06SL

, P-1 HGD059N08A HGI059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 89 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circu

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HGI053N06SL

HGI050N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 112 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS TO-251 Hard Switching and Hig

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History: IRHI7360SE

 

 
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