Справочник MOSFET. HGI053N06SL

 

HGI053N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGI053N06SL
   Маркировка: GI053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 793 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для HGI053N06SL

 

 

HGI053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
hgd053n06sl hgi053n06sl.pdf

HGI053N06SL
HGI053N06SL

HGD053N06SL , HGI053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:964K  cn hunteck
hgd059n08al hgi059n08al.pdf

HGI053N06SL
HGI053N06SL

, P-1HGD059N08ALHGI059N08AL80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness88 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 9.2. Size:959K  cn hunteck
hgd059n08a hgi059n08a.pdf

HGI053N06SL
HGI053N06SL

, P-1HGD059N08AHGI059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability89 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circu

 9.3. Size:931K  cn hunteck
hgi050n10al.pdf

HGI053N06SL
HGI053N06SL

HGI050N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness112 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-251 Hard Switching and Hig

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LSGH08R060W3

 

 
Back to Top