Справочник MOSFET. HGI053N06SL

 

HGI053N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI053N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
hgd053n06sl hgi053n06sl.pdfpdf_icon

HGI053N06SL

HGD053N06SL , HGI053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:964K  cn hunteck
hgd059n08al hgi059n08al.pdfpdf_icon

HGI053N06SL

, P-1HGD059N08ALHGI059N08AL80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness88 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 9.2. Size:959K  cn hunteck
hgd059n08a hgi059n08a.pdfpdf_icon

HGI053N06SL

, P-1HGD059N08AHGI059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability89 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circu

 9.3. Size:931K  cn hunteck
hgi050n10al.pdfpdf_icon

HGI053N06SL

HGI050N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness112 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-251 Hard Switching and Hig

Другие MOSFET... HGD040N06SL , HGI040N06SL , HGD045NE4SL , HGD046NE6A , HGD046NE6AL , HGD050N10A , HGD053N06S , HGD053N06SL , IRFB31N20D , HGD058N08SL , HGD059N08A , HGI059N08A , HGD059N08AL , HGI059N08AL , HGD077N10SL , HGI077N10SL , HGD080N10A .

History: TPCC8007 | FDMS8670AS | TPB60R580C | TF3402 | AFN2604 | IRFS634B | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.