HGI077N10SL Todos los transistores

 

HGI077N10SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGI077N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGI077N10SL

 

Principales características: HGI077N10SL

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HGI077N10SL

HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 6.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 105 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Appli

Otros transistores... HGD053N06SL , HGI053N06SL , HGD058N08SL , HGD059N08A , HGI059N08A , HGD059N08AL , HGI059N08AL , HGD077N10SL , AO3400A , HGD080N10A , HGI080N10A , HGD080N10AL , HGI080N10AL , HGD090NE6A , HGI090NE6A , HGD090NE6AL , HGI090NE6AL .

History: HGI080N10AL

 

 
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