HGI077N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGI077N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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HGI077N10SL Datasheet (PDF)
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HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature6.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability105 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeAppli
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