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HGD080N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD080N10A
   Código: GD080N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD080N10A

 

HGD080N10A Datasheet (PDF)

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HGD080N10A
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, P-1HGD080N10AHGI080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching6.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability88 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

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HGD080N10A
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HGD080N10AL , P-1HGI080N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.1RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

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HGI080N08SL HGD080N08SL P-1,80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V6.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

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