HGD092NE6AL Todos los transistores

 

HGD092NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD092NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD092NE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1133K  cn hunteck
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HGD092NE6AL

HGD092NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 52 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 46 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchrono

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 hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf pdf_icon

HGD092NE6AL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 9.2. Size:901K  cn hunteck
 hgd093n12sl.pdf pdf_icon

HGD092NE6AL

HGD093N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching, Logic Level120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested81 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 9.3. Size:894K  cn hunteck
 hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf pdf_icon

HGD092NE6AL

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

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History: APM4550K | WFP630 | QM2404C1 | ELM57801GA | AON2409 | SUP40N10-30 | SI2334DS

 

 
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