HGD120N06SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD120N06SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HGD120N06SL datasheet

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HGD120N06SL

HGD120N06SL , HGI120N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 12 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 47 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

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HGD120N06SL

, HGI120N10AL HGD120N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectific

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 hgi120n10a hgd120n10a.pdf pdf_icon

HGD120N06SL

, HGI120N10A HGD120N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 12.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 59 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

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