HGD170N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD170N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGD170N10A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGD170N10A datasheet

 ..1. Size:957K  cn hunteck
 hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

HGD170N10A

HGD170N10A , P-1 HGI170N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 16.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 39 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

 0.1. Size:958K  cn hunteck
 hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

HGD170N10A

HGD170N10AL , P-1 HGI170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

Otros transistores... HGI110N08A, HGD110N08AL, HGI110N08AL, HGD110N10SL, HGI110N10SL, HGD120N06SL, HGI120N06SL, HGD155N15S, IRFP460, HGI170N10A, HGD170N10AL, HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML