HGD170N10AL Todos los transistores

 

HGD170N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD170N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGD170N10AL Datasheet (PDF)

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 hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

HGD170N10AL

HGD170N10AL , P-1HGI170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 4.1. Size:957K  cn hunteck
 hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

HGD170N10AL

HGD170N10A , P-1HGI170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching16.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability39 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Cir

Otros transistores... HGI110N08AL , HGD110N10SL , HGI110N10SL , HGD120N06SL , HGI120N06SL , HGD155N15S , HGD170N10A , HGI170N10A , IRFP460 , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A .

 

 
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