HGD1K2N20ML Todos los transistores

 

HGD1K2N20ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD1K2N20ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD1K2N20ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  cn hunteck
 hgd1k2n20ml hgi1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGD1K2N20ML

HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchi

Otros transistores... HGD155N15S , HGD170N10A , HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , 10N60 , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML .

History: MDT70N03 | MDT9N20 | CM84N06 | MDT7N65

 

 
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