SP2110 Todos los transistores

 

SP2110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP2110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de SP2110 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SP2110 datasheet

 ..1. Size:104K  samhop
 sp2110.pdf pdf_icon

SP2110

Green Product SP2110 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 390 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1.6A 460 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 PIN1 PDFN 5x6 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

 9.1. Size:119K  samhop
 sp2112.pdf pdf_icon

SP2110

Green Product SP2112 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 390 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1.2A 430 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 DFN 3x3 PIN1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

Otros transistores... SP2702 , FDS8884 , SP2700 , FDS8896 , SP2458 , FDS89141 , SP2112 , FDS89161 , STF13NM60N , FDS89161LZ , SP2108 , FDS8928A , SP2107 , SP2106 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 .

History: NTTFS5820NL | JMSL1040AGQ | SRC65R100B | 2SJ332S | SE80160G | JMSL1040AK | J330

 

 

 

 

↑ Back to Top
.