HGI2K4N25ML Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGI2K4N25ML  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO-251

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HGI2K4N25ML datasheet

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HGI2K4N25ML

HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 180 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 190 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 8.82 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in

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