HGI050N10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGI050N10AL 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 562 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Encapsulados: TO-251
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HGI050N10AL datasheet
hgi050n10al.pdf
HGI050N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 112 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS TO-251 Hard Switching and Hig
hgd059n08al hgi059n08al.pdf
, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i
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, P-1 HGD059N08A HGI059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 89 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circu
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History: HGI120N10AL
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